MZ-V8P2T0BW
Description :
Samsung MZ-V8P2T0BW. Capacité du Solid State Drive (SSD): 2000 Go, Facteur de forme SSD: M.2, Vitesse de lecture: 7000 Mo/s, Vitesse d'écriture: 5100 Mo/s, composant pour: PC/ordinateur portable
Capacité du Solid State Drive (SSD) | 2000 Go |
Facteur de forme SSD | M.2 |
Interface | PCI Express 4.0 |
Algorithme de sécurité soutenu | 256-bit AES |
composant pour | PC/ordinateur portable |
Type de mémoire | V-NAND MLC |
Temps moyen entre pannes | 1500000 h |
Vitesse de lecture | 7000 Mo/s |
NVMe | Oui |
Flux de données d'interface PCI Express | x4 |
Vitesse d'écriture | 5100 Mo/s |
Le chiffrement matériel | Oui |
Lecture aléatoire (4KB) | 1000000 IOPS |
Écriture aléatoire (4KB) | 1000000 IOPS |
Support S.M.A.R.T. | Oui |
Support TRIM | Oui |
Version NVMe | 1.3c |
Code du système harmonisé | 84717070 |
Largeur | 80,2 mm |
Profondeur | 2,38 mm |
Hauteur | 22,1 mm |
Poids | 9 g |
Température d'opération | 0 - 70 °C |
Choc durant le fonctionnement | 1500 G |
Température maximale de fonctionnement | 70 °C |
Consommation d'énergie (mode veille) | 0,035 W |
Consommation (max) | 7,2 W |
Tension de fonctionnement | 3,3 V |
Consommation d'énergie (moyenne) | 6,1 W |
Type d'emballage | Boîte |